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1光刻胶的灵敏度灵敏度是指单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的min光能量（对紫外光刻胶而言）或min电荷量（对电子束光刻胶而言）。数值越小表明灵敏度越高，曝光所需的剂量相应越小，曝光过程越快。通常负胶的灵敏度要高于正胶。灵敏度太低会影响
发布时间：2019-09-11 点击次数：331
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光刻是集成电路重要的加工工艺，在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技术。光刻也是制造芯片的关键技术，他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技与社会发展中，光刻技术的增长，直接关系到大型计算机的运作等高科技领域。光刻技术
发布时间：2019-08-26 点击次数：259
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紫外压印工艺是将单体涂覆的衬底和透明印章装载到对准机中,在真空环境下被固定在各自的卡盘上。当衬底和印章的光学对准完成后,开始接触压印。透过印章的紫外曝光促使压印区域的聚合物发生聚合和固化成型。与热压印技术相比,紫外压印对环境要求更低,
发布时间：2019-08-28 点击次数：364
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纳米热压印技术是在微纳米尺度获得并行复制结构的一种成本低而速度快的方法。该技术在高温条件下可以将印章上的结构按需复制到大的表面上,被广泛用于微纳结构加工。整个热压印过程必须在气压小于1Pa的真空环境下进行,以避免由于空气气泡的存在造成
发布时间：2019-08-22 点击次数：457
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在后光学光刻的技术中，其主要且困难的技术就是掩模制造技术，其中1：1的光刻非常困难，是妨碍技术发展的难题之一。所以说，我们认为掩模开发是对于其应用于工业发展的重要环节，也是决定成败的关键。在过去的发展中，科学家对其已经得到了巨大的发展，也有
发布时间：2019-08-19 点击次数：154
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1895年，德国物理学家伦琴首先发现了X射线，也因此获得了诺贝尔物理学奖。X射线是一种与其他粒子一样具有波粒二象性的电磁波，可以是重原子能级跃迁或着是加速电子与电磁场耦合辐射的产物。X射线的波长极短，1972年X射线被早提出用于光刻技术上，
发布时间：2019-08-16 点击次数：298
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在摩尔定律的规律下，以及在如今科学技术快速发展的信息时代，新一代的光刻技术就应该被选择和研究，在当前微电子行业为人关注，而在这些高新技术当中，极紫外光刻与其他技术相比又有明显的优势。极紫外光刻的分辨率至少能达到30nm以下,且更容易收到各集
发布时间：2019-08-15 点击次数：206
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光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，通过光的照射，光刻胶的成分发生化学反应，从而生成电路图。限制成品所能获得的小尺寸与光刻系统能获得的分辨率直接相关，而减小照射光源的波长是提高分辨率
发布时间：2019-08-09 点击次数：194
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光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果。利用这种性能，将
发布时间：2019-08-07 点击次数：181
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光刻加工工艺的评价标准一个集成电路的制造过程（processflow）是由许多工艺单元（unitprocess）构成的，
每一个工艺单元的输出就是下一个工艺单元的输入。工艺单元之间的衔接和整合是由工艺集成
（processinte
发布时间：2019-01-25 点击次数：723
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光刻加工光刻胶材料有哪些？大家听多了光刻机、蚀刻机以及nm工艺这样的术语，对光刻胶还是十分陌生的。买回来的硅圆片经过检查无破损后即可投入生产线上，前期可能还有各种成膜工艺，然后就进入到涂抹光刻胶环节。微
影光刻工艺是一种图形影
发布时间：2019-01-25 点击次数：687
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我国虽然已成为世界半导体生产大国，但
面板产业整体产业链仍较为落后。
目前，上游电子化学品（LCD用光刻胶）几乎全部依赖进口，须加快面板产业关键核心材
料基础研究与产业化进程，才能支撑我国微电子产业未来发展及“地位”的确立。
彩色薄
发布时间：2019-01-25 点击次数：372
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光刻加工光刻胶的主要技术参数有哪些？1．灵敏度（Sensitivity）灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution）区别硅片表面相邻图形特征
发布时间：2018-09-27 点击次数：1198
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光刻加工光刻胶产品特点：1.光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电
发布时间：2018-10-08 点击次数：189
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光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)
发布时间：2018-10-08 点击次数：277
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光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和很大规模集成电路的发展，更是大大帮助了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，
发布时间：2018-09-30 点击次数：626
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光刻胶定义光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说
发布时间：2018-09-30 点击次数：310
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紫外纳米压印胶一般由主体树脂、光引发剂、溶剂以及添加剂等四部分组成，根据主体树脂不同，紫外纳米压印光刻胶一般可分为环氧树脂、乙烯基醚、丙烯酸酯等几类。LGuo研究了一种新型的以环氧硅酮为中间体的紫外固化材料，该环氧硅酮中间体可通过加入乙酸
发布时间：2016-07-27 点击次数：1479
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光刻胶的生产步骤有哪些1、准备基质：在涂布光阻剂之前，硅片一般要进行处理，需要经过脱水烘培蒸发掉硅片表面的水分，并涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物（目前应用的比较多的是六甲基乙硅氮烷（hexa-methyl-disilazane
发布时间：2016-07-27 点击次数：332
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光刻胶的选择是一个复杂的过程。主要的决定因素是晶圆表面对尺寸的要求。光刻BCM5325MA2KQMG胶首先须具有产生那些所要求尺寸的能力。除了这些，还须有在刻蚀过程中阻挡刻蚀的功能。在阻挡刻蚀的作用中，保持特定厚度的光刻胶层中不
发布时间：2016-07-27 点击次数：393
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光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和很大规模集成电路的发展，更是大大帮助了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，
发布时间：2017-12-14 点击次数：255
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克服了普通光刻胶采用UV深宽比不足的问题，在近紫外光（365nm-400nm）范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形；它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性；在受到紫外辐射后
发布时间：2017-12-14 点击次数：400
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我国半导体之殇--光刻机与光刻胶光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进
发布时间：2016-07-27 点击次数：239
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光刻胶:用化学反应进行图像转移的媒介光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。光刻胶产业链光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶专用化学品，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于
发布时间：2016-07-27 点击次数：206
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