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纳米压印光刻技术的研究始于普林斯顿大学纳米结构实验室 Stephen Y.Chou 教授， 将一具有纳米图案的模版以机械力（高温、高压）在涂有高分子材料的硅基板比例压印 复制纳米图案，其加工分辨力只与模版图案的尺寸有关，而不受光学光刻的短曝光波长的 物理限制，目前 NIL 技术已经可以制作线宽在 5nm 以下的图案。由于省去了光学光刻掩模 版和使用光学成像设备的成本。因此 NIL 技术具有低成本、高产出的经济优势。此外，NIL 技术可应用的范围相当广泛，涵盖纳米电子元件、生物或化学的硅片实验室、微流道装置（微 混合器、微反应器），很高存储密度磁盘、微光学元件等领域。
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