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X射线光刻技术

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X射线光刻技术

发布日期:2019-08-16 作者: 点击:

1895年,德国物理学家伦琴首先发现了X射线,也因此获得了诺贝尔物理学奖。X射线是一种与其他粒子一样具有波粒二象性的电磁波,可以是重原子能级跃迁或着是加速电子与电磁场耦合辐射的产物。X射线的波长极短,1972年X射线被早提出用于光刻技术上,X射线在用于光刻时的波长通常在0.7到0.12nm之间,它极强的穿透性决定了它在厚材料上也能定义出高分辨率的图形。


X射线波长极短,使得其不会发生严重的衍射现象。我们在使用X射线进行曝光时对波长的选择是受到一定因素限制的,在曝光过程中,光刻胶会吸收X射线光子,而产生射程随X射线波长变化而相继改变的光电子,这些光电子会降低光刻分辨率,X射线的波长越短,光电子的射程越远,对光刻越不利。因此增加X射线的波长有助于提高光刻分辨率。然而长波长的X射线会加宽图形的线宽,考虑多种因素的影响,通常只能折中选择X射线的波长。


今年来的研究发现,当图形的线宽小到一定程度时(一般为0.01μm以下),被波导效应影响,得到的图形线宽要小于实际掩模图形,因此X光刻分辨率也受到掩模版与晶圆间距大小的影响。


除此之外,还需要大量的实验研究来解决X射线光刻图形微细加工时对图形质量造成影响的诸多因素。

光刻胶

本文网址:http://www.micro-graph.com.cn/news/417.html

关键词:光刻技术哪家好,光刻技术概念,光刻胶

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