纳米压印技术是目前纳米沟道加工的主要技术。传统的光刻技术主要是利用电子和光子改 变光刻胶的物理化学性质，进而得到相应的纳米图形。而纳米压印技术则可以在不使用电子和 光子的前提下，直接利用物理学机理机械地在光刻胶上构造纳米尺寸图形。正是由于这种机械 作用，使得纳米压印技术不再受到光子衍射和电子散射的限制，可大面积地制备纳米级图形。 同时，由于这项技术所用的设备简单，制备时间短，压印模板可以重复使用，所以应用该技术 制备纳米图形所需的成本也较低。

这种技术早由普林斯顿大学的 Chou 等学者提出[1]。研究出来的纳米压印技 术是热压印(Hot embossing)，随着研究的不断深入，一些改进的纳米压印技术也随之诞生。 这些改进的纳米压印技术主要有：滚轴纳米压印技术（ RNIL）、紫外固化压印技术（UV-NIL） （包括步进-闪光压印（S-FIL））、微接触印刷（UCP）、反纳米压印技术（R-NIL）、光刻结合压 印（CNP）和激光辅助压印（LADI）等[2]。当然科研者们也正在开发更多的方法，这些改进纳米压印技术原理基本一致，只是工艺变得更简单、实用和廉价.

热压印(Hot embossing) 热压印(Hot embossing)是早开发出的纳米压印技术，相对其他技术，它也是被研究的 充分，应用的广泛，是目前纳米压印技术的主流技术。

热压印模板的制备[3] 模板的制备是整个热压印过程当中关键的一步，因为纳米压印技术的核心思想是图形 的复制与转移，整个技术实现的前提是模板须具备高分辨率、稳定、可重复使用特性。目前 分辨率高的曝光技术是电子束直写曝光技术，它的分辨率可高达 5nm，其过程如下：

（1）涂 敷聚合物：将对电子束敏感的聚合物（如 PMMA）涂敷到平整的基底上；

（2）制备聚合物图形： 电子束按照预定的图形程序在聚合物表面扫描曝光，被曝光区域的聚合物断键或分解，溶解在 特定的溶剂中。而未被扫描的区域则不溶（即显影），在基底上制备聚合物图形；

（3）转移聚 合物图形：经过真空蒸镀金属、剥离、反应离子刻蚀等工序，将聚合物图形转移到金属或基底上。这里的基底材料通常是SiO2。